碳化硅衬底领军者长时间添加动能安定

  碳化硅衬底领军者，规划效应初显：天岳先进是我国碳化硅（Sic）半导体衬底资料范畴的领军企业，公司从技能攻关起步，逐渐完成4英寸至12英寸衬底的工业化打破。2024年，跟着上海临港工厂产能的接连开释，公司经营收入同比添加41.37%，归母净利润同比添加491.56%。2025年榜首季度，尽管公司经营收入和归母净利润同比下降，但主要是受研制费用和管理费用影响，短期的投入是为长时间的技能卡位蓄力。展望未来，依托于公司的技能优势，跟着港股上市与AI眼镜、数据中心等新式使用的打破，公司或将迎来二次跃升期

  碳化硅—高压高温场景的半导体新王者：1）新能源轿车：乘用车SiC-MOSFET仍有较大浸透空间，新能源工程车规划化。2）充电桩：超级快充技能是当时新能源工业的中心战略方向之一，其背面既有方针强力推进，也源于商场需求和技能晋级的必定性。3）光储：在光储装机量继续生长和全Sic计划逐渐浸透的双轮驱动下光储用Sic商场规划也将继续生长。4）碳化硅（Sic）在家电、轨交和电网范畴相同也经过高频低损、耐高温、能效跃升三大中心优势驱动革新。5）数据中心：打破数据中心“能耗墙”，SiC或将从可选技能变为必然选择。6）AR眼镜：打破AR光学功能天花板，量产破局可期。依据弗若斯特沙利文数据，2024-2030年，碳化硅功率半导体器材商场规划将以35.2%的复合增速从32.4亿美元添加至197.45亿美元。

  碳化硅衬底工业链价值量占比高，大尺度趋势不改：碳化硅（SiC）衬底在SiC器材中占有中心位置，其质量和尺度直接影响器材功能与本钱，技能壁垒和本钱结构决议了整个工业的商业化进程。在Sic功率器材本钱结构中，衬底占比高达47%。碳化硅衬备办法的技能送代实质是缺点-本钱-功率”的三角博弃，PVT法胜在工程化，HT-CVD强在纯度，LPE则以高速率&低缺点破局。从尺度看，当时商场仍以6英寸为主，但8英寸正加快浸透，12英寸已进入技能打破期。依据Yole数据，2023年8英寸衬底占比为1.97%，2024年则敏捷添加至14.77%，2028年将抵达49.66%。

  公司优势：从技能实力看，公司2023年6月首发液相法低缺点8英寸晶体，2024年11月全球首发12英寸导电型衬底，2023年3月再次携3种12英寸碳化硅衬底上台，全面步入世界碳化硅大尺度竞技场，也在AR虚拟显现范畴打响了榜首枪从商场位置和客户优势来看，2024年，公司导电型碳化硅衬底市占率提高至22.8%排名第二；高纯半绝缘范畴，公司接连五年全球市占率排名第三，并与超越50%的全球前十大功率半导体企业安排协作。总的来看，天岳先进的长处是以液相法技能为中心打破资料瓶颈，以8英寸衬底量产才能抢占本钱高地，再以全球TOP3市占率绑定头部客户。

  危险提示：产品验证没有抵达预期的危险；产能提高没有抵达预期的危险；碳化硅在新式范畴的使用没有抵达预期的危险；世界贸易的危险。